[发明专利]复合型相变化记录薄膜以及用以制造该薄膜的靶材与方法无效
| 申请号： | 200710090084.2 | 申请日： | 2007-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101276617A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李仲仁;谢宗雍;赖元章;麦宏全 | 申请（专利权）人： | 光洋应用材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24;G11B7/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种复合型相变化记录薄膜与用以制造该薄膜的靶材，其包括一原子百分比10％至50％的含Te或含Sb相变化材料以及一原子百分比50％至90％的介电材料，上述材料构成100％的复合型相变化记录薄膜或复合靶材；本发明另包含一种用以制造该薄膜的贴靶靶材，其包括一介电材料基材以及一贴合于该介电材料基材表面的含Te或含Sb相变化材料；本发明另包含一种用以制造该薄膜的双靶共溅镀方法，其是以含Te或含Sb相变化材料靶材与介电材料靶材共同进行溅镀。 | ||
| 搜索关键词： | 复合型 相变 记录 薄膜 以及 用以 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种相变化记录薄膜，其特征在于：包括一原子百分比10％至50％的含Te或含Sb相变化材料以及一原子百分比50％至90％的介电材料，上述材料构成100％的相变化记录薄膜。
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