[发明专利]电容器的制作方法

摘要

本发明是有关一种电容器的制作方法，该方法是先提供基底。然后，在基底上依序形成经掺杂的第一介电层以及未经掺杂的第二介电层。之后，在第一介电层以及第二介电层中形成设有多个沟渠。接着，对相邻两沟渠之间的最大间隔处进行离子注入工艺，以在沟渠的上部的部分第二介电层中形成注入区域。然后，进行湿式蚀刻工艺，以移除位于注入区域的部分第二介电层以及位于沟渠底部的部分第一介电层。接着，在沟渠的表面依序形成设有第一导体层以及电容介电层。之后，在沟渠中形成第二导体层。本发明能增加电容器的下电极的表面积，而可增加电容值。另外本发明可同时扩大沟渠上部以及底部的宽度使电容器的电容值增加，并可避免相邻电容器之间短路的情形发生，非常适于实用。

主权项

1、 一种电容器的制作方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一基底；在该基底上依序形成经掺杂的一第一介电层以及未经掺杂的一第二介电层；在该第一介电层以及该第二介电层中形成多个沟渠；对相邻两该些沟渠之间的最大间隔处进行一离子注入工艺，以在位于该些沟渠的上部的部分该第二介电层中形成一注入区域；进行一湿式蚀刻工艺，以移除位于该注入区域的部分该第二介电层以及位于该些沟渠底部的部分该第一介电层；在该些沟渠表面依序形成一第一导体层以及一电容介电层；以及在该些沟渠中形成一第二导体层。