[发明专利]动态随机存取记忆体的制作方法

摘要

本发明是有关于一种动态随机存取内存的制作方法，其首先是提供基底。接着，在基底上形成多个晶体管。然后，在晶体管之间形成第一与第二着陆垫接触窗。继之，在基底上形成第一介电层，并在第一介电层中形成暴露出第一着陆垫接触窗的第一开口。随后，在第一介电层上形成阻障层。之后，在第一开口中形成位线接触窗，以及在第一介电层上形成位线。然后，在位线的侧壁上形成衬层。接着，在基底上形成干式蚀刻速率实质上等于衬层的干式蚀刻速率且湿式蚀刻速率大于衬层的湿式蚀刻速率的第二介电层。之后，在第二与第一介电层中形成储存节点接触窗。本发明可避免位于位线下方阻障层材料穿过储存节点接触窗的间隙壁导致位线与储存节点接触窗间产生短路，非常适于实用。

主权项

1、 一种动态随机存取内存的制作方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一基底；在该基底上形成多个掩膜；在该些掩膜之间形成一第一着陆垫接触窗与一第二着陆垫接触窗；在该基底上形成一第一介电层；在该第一介电层中形成一第一开口，该第一开口暴露出该第一着陆垫接触窗；共形地在该第一介电层上形成一阻障层；在该第一开口中形成一位线接触窗，以及在该第一介电层上形成一位线，其中该位线与该位线接触窗电性连接；在该位线的侧壁上形成一衬层；在该基底上形成一第二介电层，该第二介电层的干式蚀刻速率实质上等于该衬层的干式蚀刻速率，且该第二介电层的湿式蚀刻速率大于该衬层的湿式蚀刻速率；以及在该第二介电层与该第一介电层中形成一储存节点接触窗，该储存节点接触窗与该第二着陆垫接触窗电性连接。