[发明专利]具有球形凹陷和鞍鳍的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710090771.4 | 申请日： | 2007-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101083281A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 金光玉 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包含：有源区；形成在有源区的沟道形成区中的具有一定深度的球形凹陷；包围有源区的器件隔离结构，其中器件隔离结构具有线形开口，使得器件隔离结构的表面低于球形凹陷的底部，并且部分有源区呈鞍鳍状突出于器件隔离结构；形成在由开口暴露的器件隔离结构和包含球形凹陷的有源区上方的栅极绝缘层；和形成在栅极绝缘层上方的栅电极，栅电极填充在球形凹陷中，并且覆盖由开口暴露的器件隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 球形 凹陷 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包含：有源区；形成在有源区的沟道形成区中具有一定深度的球形凹陷；包围有源区的器件隔离结构，其中器件隔离结构具有线形开口，使得器件隔离结构的表面低于球形凹陷的底部，并且部分有源区呈鞍鳍状突出于器件隔离结构；形成在由开口暴露的器件隔离结构和包含球形凹陷的有源区上方的栅极绝缘层；和形成在栅极绝缘层上方的栅电极，栅电极填充在球形凹陷中，并且覆盖由开口暴露的器件隔离结构。
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