[发明专利]液晶显示面板的半导体结构及其制作方法

摘要

本发明公开一种液晶显示面板的半导体结构及其制作方法，该方法包含下述步骤：首先提供一基板，并在其上形成一图案化多晶硅层，然后覆盖第一介电层。接着形成一图案化的第一金属层，以构成栅极与电容电极，离子掺杂多晶硅层以形成源极与漏极，接着，形成第二介电层与图案化第二金属层，并利用第三介电层覆盖于其上，然后，再利用图案化光刻胶层，形成多个介层开口，并将第三金属层填入于其中，将光刻胶层与多余的第三金属层剥除，以形成介层插塞于介层开口之中，并利用图案化的透明导电层，以电性介层插塞。本发明有效利用化学剥除，将光刻胶层与多余的导电层剥除，且有效地减少了一道光罩，可降低制造成本，并可提高其电性连接的稳定性。

主权项

1.一种液晶显示面板的半导体结构的制作方法，其特征在于，至少包含：提供一基板，该基板上定义有一主动元件区与一电容区；在该基板的该主动元件区与该电容区上形成一图案化多晶硅层；形成一第一介电层覆盖该多晶硅层与该基板；形成一图案化第一金属层在该第一介电层上，该图案化第一金属层覆盖部分该主动元件区的该多晶硅层，以作为一栅极，并且覆盖该电容区的该多晶硅层，以作为一第一电极；在该主动元件区中，该第一金属层未覆盖的该多晶硅层中形成重掺杂区，以作为一第一源/漏极与一第二源/漏极；形成一第二介电层，覆盖该第一金属层与该基板；形成一图案化第二金属层，包括在该主动元件区周边的一数据线，以及在该电容区的一第二电极；形成一第三介电层，覆盖该第二金属层与该基板；形成一图案化光刻胶层；以该图案化光刻胶层为掩膜，蚀刻该第三介电层、该第二介电层、该第一介电层，形成多个介层开口，暴露出该数据线、该第一源/漏极、该第二源/漏极与该第二电极；形成一第三金属层，覆盖该图案化光刻胶层与该基板，并且填入该介层开口；剥除该图案化光刻胶层与位于该图案化光刻胶层上的部份该第三金属层；以及形成一图案化透明导电层，电性连该数据线与该第一源/漏极上的部分该第三导电层，以及电性连结该第二源/漏极与该第二电极，并且作为一像素电极。