[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

摘要

本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够使通过电容耦合型的高频放电生成的等离子体密度的空间分布均匀化，并能够对其进行任意控制，提高等离子体的面内均匀性。本发明的等离子体处理装置，下部电极的基座(16)载置被处理基板(W)，通过高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。在基座(16)上方，与其平行的相对配置有上部电极(34)，隔着环状的绝缘体(35)以电浮起的状态安装在腔室(10)上。上部电极(34)的上面与腔室(10)的顶面之间设置有规定的间隔尺寸，其缝隙的一部分或全部形成真空空间(50)。该真空空间(50)的内壁的全部或一部分由片状的绝缘体(52)覆盖。

主权项

1.一种等离子处理装置，包括：能够真空排气的处理容器；隔着绝缘物或空间以电浮起状态安装在所述处理容器内的第一电极；在所述处理容器内与所述第一电极空开规定间隔平行配置的、与所述第一电极相对并支撑被处理基板的第二电极；向所述第一电极、所述第二电极和所述处理容器的侧壁之间的处理空间供给期望的处理气体的处理气体供给部；和为了在所述处理空间生成所述处理气体的等离子体，向所述第二电极施加第一高频的第一高频供电部，设定所述第一电极和所述处理容器之间的静电电容，使得在所述处理空间生成的等离子体得到期望的等离子体密度分布特性。