[发明专利]可变电阻素体和可变电阻无效
申请号: | 200710091351.8 | 申请日: | 2007-03-30 |
公开(公告)号: | CN101047053A | 公开(公告)日: | 2007-10-03 |
发明(设计)人: | 中野睦子 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01C7/10 | 分类号: | H01C7/10 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及可以确实地得到电镀延伸和电镀附着少的可变电阻的可变电阻素体。适宜的可变电阻素体(2)具有内部电极层(12)以及可变电阻层(14)相互层叠的结构。可变电阻层(14)具有作为主成份含有ZnO、作为副成份含有Co、Pr和Zr的组成。将从可变电阻素体(2)的表面向其深度方向分析时的Zr的含有量大致成为一定的深度位置作为基准深度位置时,在基准深度位置的Zr的含有量Zo和Pr的含有量Po、在比基准深度位置向表面侧移动2μm处的深度位置的Zr的含有量Z1和Pr的含有量P1,满足下式(1)和式(2)。0.4×Z1/Zo+0.5≤P1/Po≤0.4×Z1/Zo+0.9 (1);1<Z1/Zo<2.2 (2)。 | ||
搜索关键词: | 可变 电阻 | ||
【主权项】:
1.一种可变电阻素体,含有可变电阻材料,其特征在于,所述可变电阻材料具有作为主成份含有ZnO,并且作为副成份含有Co、Pr和Zr的组成,将从该可变电阻素体的表面向其深度方向分析时的Zr的含有量大致成为一定的深度位置作为基准深度位置时,所述基准深度位置的Zr含有量Zo、在比所述基准深度位置向表面侧移动2μm处的深度位置的Zr含有量Z1、在所述基准深度位置的Pr含有量Po、以及、在比所述基准深度位置向表面侧移动2μm处的深度位置的Pr含有量P1,满足下式(1)和式(2)0.4×Z1/Zo+0.5≤P1/Po≤0.4×Z1/Zo+0.9 (1) 1<Z1/Zo<2.2 (2)。
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