[发明专利]再流平方法、布图形成方法和液晶显示装置用TFT元件制造方法无效
| 申请号： | 200710091353.7 | 申请日： | 2007-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101047120A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 麻生丰 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/336;H01L21/308;H01L21/3213;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种因为可在抗蚀剂再流平处理中，高精度控制已软化抗蚀剂的流动方向和流动面积，所以可用于布图形成、液晶显示装置用TFT元件的制造的技术。实施再流平处理的抗蚀剂(103)面临目标区域(S1)侧的下端部(J)比下层膜(102)的端部更向目标区域(S1)侧伸出，形成外伸形状。通过使抗蚀剂(103)的下端部(J)比下层膜(102)更突出，可避免产生抗蚀剂(103)的停滞，使软化的抗蚀剂迅速向目标区域(S1)流动。且作为促进抗蚀剂(103)向目标区域(S1)流动的反作用，抗蚀剂(103)向禁止区域(S2)的流动受到抑制，未到达禁止区域(S2)即停止变形。 | ||
| 搜索关键词： | 平方 图形 成方 液晶 显示装置 tft 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种再流平方法，通过对具有第1膜、相比于所述第1膜形成于上层的第2膜、以及位于所述第2膜正上方的形成有露出所述第1膜的露出区域与覆盖所述第1膜的覆盖区域的布图的抗蚀剂膜的被处理体实施处理，使所述抗蚀剂膜的抗蚀剂软化流动，覆盖所述露出区域的局部或全部，其特征在于，所述抗蚀剂膜采用抗蚀剂膜端部比所述第2膜端部更向所述露出区域的上方突出的形状的抗蚀剂膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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