[发明专利]异质结双极型晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200710091367.9 | 申请日： | 2007-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101051651A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | F·帕基特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/12;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进的异质结双极型晶体管(HBT)结构以及形成结合具有递变的锗分布的硅锗层发射极层的结构的方法。递变的锗浓度在发射极层的中性区中形成准漂移场。该准漂移场引起发射极层内的价带隙梯度，以加速从基极层穿过发射极层的空穴的运动。从基极层穿过发射极层的空穴的加速运动减小了发射极的延迟时间并因此增加了形成的HBT的截止频率(fT)和最大振荡频率(fMAX)。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种异质结双极型晶体管，包括：单晶硅锗发射极层，具有第一侧和第二侧并具有第一导电型；单晶基极层，邻近所述第一侧并具有第二导电型；以及多晶硅电极，邻近所述第二侧并具有所述第一导电型，其中所述发射极层包括锗，并且其中所述发射极层中的所述锗的浓度是递变的，以使所述浓度在所述第一侧和所述第二侧之间增加。
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