[发明专利]像素结构及其制造方法

摘要

本发明为一种像素结构及其制造方法，所述的像素结构配置于基板上。此像素结构包括栅极、图案化介电层、图案化半导体层、图案化金属层、平坦层及透明像素电极。栅极与覆盖栅极的图案化介电层皆配置于基板上。图案化介电层上的图案化半导体层包括栅极上方的通道层及多个凸块。图案化金属层包括源极、漏极及连接漏极的反射像素电极。源极与漏极分别覆盖部分通道层。反射像素电极覆盖凸块。栅极、图案化介电层、图案化半导体层与图案化金属层构成晶体管。晶体管上的平坦层具有暴露出部分反射像素电极的接触窗。平坦层上的透明像素电极由接触窗电连接反射像素电极。本发明提供的像素结构，可以用单液晶盒间隙工艺，制作半穿透半反射式液晶显示器。

主权项

1.一种像素结构，适于配置于一基板上，其特征在于，所述的像素结构包括：一栅极，配置于所述的基板上；一图案化介电层，配置于所述的基板上以覆盖所述的栅极；一图案化半导体层，配置于所述的图案化介电层上，所述的图案化半导体层包括一配置于所述的栅极上方的通道层以及多个凸块；一图案化金属层，包括一源极、一漏极以及一与该漏极连接的反射像素电极，其中所述的源极与所述的漏极分别覆盖所述的通道层的部分区域，而所述的反射像素电极覆盖所述的这些凸块，且所述的栅极、所述的图案化介电层、所述的图案化半导体层、所述的源极与所述的漏极构成一晶体管；一平坦层，配置于所述的晶体管上，其中所述的平坦层具有一接触窗，以暴露出所述的反射像素电极的部分区域；以及一透明像素电极，配置于所述的平坦层上，并通过所述的接触窗与所述的反射像素电极电连接。