[发明专利]半导体散热衬底及其生产方法和组件有效
| 申请号： | 200710091457.8 | 申请日： | 2002-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101026137A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 高岛浩一;山形伸一;安部诱岳;笹目彰 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈长会 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体散热衬底，其是用铜－钨合金制成的，该合金是其孔内渗入铜的钨多孔体，累积比表面积为95％时的钨多孔体的孔径是0.3μm或更大，比表面积为5％时的钨多孔体的孔径是30μm或更小，通过将铁族金属含量降至低于0.02wt％可使其导热系数为210W/m·K或更大。同样，利用多轴压力机改变渗入模制品中的铜量以改变中心部分和外缘部分中的孔隙量，可以在不使用粘结剂的条件下低成本地提供用不同材料制成中心部分和外缘部分的半导体散热衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 散热 衬底 及其 生产 方法 组件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体散热衬底，其特征在于：该半导体散热衬底是用铜-钨合金制成的，该合金是其孔内已渗入铜的钨多孔体，该衬底由承载半导体元件的中心部分和与其材料不同的外缘部分构成，所说的中心部分由铜或由铜含量高于外缘部分的材料制成；以及该衬底被集成在一起而所说的中心部分和所说的外缘部分之间不被粘合材料间断。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710091457.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：中冷等压吸热式热气机
- 下一篇：利用离子印迹聚合物的重金属离子选择性分离
