[发明专利]存储装置的电容器及其形成方法无效
| 申请号： | 200710091616.4 | 申请日： | 2007-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101097889A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 吴在敏 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储装置的电容器及其形成方法。存储装置的电容器形成在其上具有晶体管的半导体衬底上。在半导体衬底上形成了其中界定了孔的模具层。催化金属层紧邻每个孔的底部边界形成。反应气体提供到催化金属层以通过与催化金属层的催化反应形成碳纳米管。在形成紧邻每个孔的底部边界和侧壁和在碳纳米管上的下电极之后，在下电极上沉积介电层。上电极形成在介电层上以形成电连接到晶体管的介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 电容器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成具有晶体管的存储装置的电容器的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成模具层，所述模具层在其中形成有孔；紧邻每个孔的底部边界形成催化金属层；在所述催化金属层上生长碳纳米管；在所述碳纳米管上沉积介电层；以及在所述介电层上沉积上电极以形成电容器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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