[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 200710091805.1 | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101042932A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 大泽隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/4091 | 分类号： | G11C11/4091 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 朱智勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体存储器件，其包括：包括处在电浮动状态的浮动体的存储单元，用来按照浮动体内多数载流子的数目存储数据；接到存储单元的栅极上的字线；接到存储单元上的第一位线，用来发送数据；发送用来检测存储在存储单元内的数据的基准数据的第二位线；分别发送存储在存储单元内的数据和基准数据的第一读出节点和第二读出节点；配置在第一读出节点与第二读出节点之间的第一短路开关；以及在数据读取操作期间向存储单元施加负载电流和放大由于使第一短路开关截断而在第一读出节点与第二读出节点之间产生的电位差的第一触发器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：包括处在电浮动状态的浮动体的第一存储单元，用来按照浮动体内多数载流子的数目存储数据；接到第一存储单元的栅极上的字线；接到第一存储单元上的第一位线，用来发送存储在第一存储单元内的数据；发送用来检测存储在第一存储单元内的数据的基准数据的第二位线；分别发送存储在第一存储单元内的数据和所述基准数据的第一读出节点和第二读出节点；配置在第一读出节点与第二读出节点之间的第一短路开关；以及在数据读取操作期间向第一存储单元施加负载电流和检测由于使第一短路开关截断而在第一读出节点与第二读出节点之间产生的电位差的第一触发器。
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