[发明专利]磁性存储单元的写入方法与磁性存储阵列结构有效
| 申请号： | 200710091820.6 | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101271727A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 李元仁;高明哲 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种磁性存储单元的写入方法，其中磁性存储单元包括磁性自由迭层有双方向易轴。以磁场X轴与磁场Y轴作为参考方向，其双方向易轴基本上在磁场X轴上。此方法包括施加第一磁场在该磁场Y轴的第一方向上；施加第二磁场在该磁场X轴的第一方向上，与该第一磁场迭加；停止施加该第一磁场；施加第三磁场在该磁场Y轴且与该第一方向相反的第二方向上；停止施加该第二磁场；以及停止施加该第三磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储 单元 写入 方法 阵列 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种磁性存储单元的写入方法，其中磁性存储单元包括磁性自由迭层有双方向易轴，对于以磁场X轴与磁场Y轴作为参考方向，该双方向易轴基本上在磁场X轴上，该方法包括：施加第一磁场在该磁场Y轴的第一方向上；施加第二磁场在该磁场X轴的第一方向上，与该第一磁场迭加；停止施加该第一磁场；施加第三磁场在该磁场Y轴且与该第一方向相反的第二方向上；停止施加该第二磁场；以及停止施加该第三磁场。
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