[发明专利]静电放电保护装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710091831.4 申请日: 2007-03-23
公开(公告)号: CN101271891A 公开(公告)日: 2008-09-24
发明(设计)人: 赖泰翔;张玮仁;柯明道;唐天浩 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L27/04;H01L23/60;H01L21/82;H01L21/822
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 蒲迈文;黄小临
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种静电放电保护装置及其制造方法。此静电放电保护装置包括衬底、N型阱、P型掺杂区、第一与第二N+型掺杂区、第一与第二P+型掺杂区、栅极、第一与第二电极。N型阱配置于衬底中。P型掺杂区配置于N型阱中。第一N+型掺杂区与第一P+型掺杂区均配置于P型掺杂区中。第二N+型掺杂区与第二P+型掺杂区均配置于N型阱中以及P型掺杂区外,且与P型掺杂区不相接触。栅极配置于N型阱上以及于第二P+型掺杂区与P型掺杂区之间。第一电极电连接第一N+型掺杂区与第一P+型掺杂区。第二电极电连接第二N+型掺杂区、第二P+型掺杂区与栅极。
搜索关键词: 静电 放电 保护装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1. 一种静电放电保护装置,包括:一衬底;一N型阱,配置于该衬底中;一P型掺杂区,配置于该N型阱中;一第一N+型掺杂区,配置于该P型掺杂区中;一第一P+型掺杂区,配置于该P型掺杂区中;一第二P+型掺杂区,配置于该N型阱中以及该P型掺杂区外,其中该第二P+型掺杂区与该P型掺杂区不相接触;一栅极,其配置于该N型阱上以及于该第二P+型掺杂区与该P型掺杂区之间;一第一电极,其经由一第一电性导体连接该第一N+型掺杂区与该第一P+型掺杂区;以及一第二电极,其经由一第二电性导体连接该第二P+型掺杂区与该栅极。
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