[发明专利]静电放电保护装置及其制造方法有效
申请号: | 200710091831.4 | 申请日: | 2007-03-23 |
公开(公告)号: | CN101271891A | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | 赖泰翔;张玮仁;柯明道;唐天浩 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/04;H01L23/60;H01L21/82;H01L21/822 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 蒲迈文;黄小临 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种静电放电保护装置及其制造方法。此静电放电保护装置包括衬底、N型阱、P型掺杂区、第一与第二N+型掺杂区、第一与第二P+型掺杂区、栅极、第一与第二电极。N型阱配置于衬底中。P型掺杂区配置于N型阱中。第一N+型掺杂区与第一P+型掺杂区均配置于P型掺杂区中。第二N+型掺杂区与第二P+型掺杂区均配置于N型阱中以及P型掺杂区外,且与P型掺杂区不相接触。栅极配置于N型阱上以及于第二P+型掺杂区与P型掺杂区之间。第一电极电连接第一N+型掺杂区与第一P+型掺杂区。第二电极电连接第二N+型掺杂区、第二P+型掺杂区与栅极。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 保护装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种静电放电保护装置,包括:一衬底;一N型阱,配置于该衬底中;一P型掺杂区,配置于该N型阱中;一第一N+型掺杂区,配置于该P型掺杂区中;一第一P+型掺杂区,配置于该P型掺杂区中;一第二P+型掺杂区,配置于该N型阱中以及该P型掺杂区外,其中该第二P+型掺杂区与该P型掺杂区不相接触;一栅极,其配置于该N型阱上以及于该第二P+型掺杂区与该P型掺杂区之间;一第一电极,其经由一第一电性导体连接该第一N+型掺杂区与该第一P+型掺杂区;以及一第二电极,其经由一第二电性导体连接该第二P+型掺杂区与该栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的