[发明专利]包括可变电阻材料的非易失存储器件有效
| 申请号： | 200710091903.5 | 申请日： | 2007-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101101964A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 李殷洪;赵重来;斯蒂法诺维奇·金瑞克 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L27/10;H01L27/115;G11C13/00;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包括可变电阻材料的非易失存储器件。所述非易失存储器件包括：下电极；缓冲层，形成在所述下电极上，并且在缓冲层与下电极之间的界面上形成了肖特基势垒；形成在缓冲层上的具有可变电阻特性的可变电阻材料层；和形成在可变电阻材料层上的上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 可变 电阻 材料 非易失 存储 器件 | ||
【主权项】：
1、一种包括可变电阻材料的非易失存储器件，所述存储器件包括：下电极；缓冲层，形成在所述下电极上，并且在所述缓冲层与所述下电极之间的界面上形成了肖特基势垒；形成在所述缓冲层上的可变电阻材料层，其具有可变电阻特性；以及上电极，形成在所述可变电阻材料层上。
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