[发明专利]多比特机电存储器件及其制造方法

摘要

在存储器件及其形成方法中，在一个实施例中，存储器件包括：衬底；以及衬底上沿第一方向延伸的位线。将第一字线结构设置在位线上并且与位线间隔且绝缘，第一字线结构沿横穿第一方向的第二方向延伸。电极与位线相连，在第一字线结构之上延伸并且与第一字线结构间隔第一间隙。第二字线结构在电极之上并且与电极间隔第二间隙，第二字线结构沿第二方向延伸。电极在第一字线结构和第二字线结构之间是悬臂形式的，使得电极偏转以通过第一间隙与在第一弯曲位置第一字线结构的顶部电连接，以及偏转以通过第二间隙在第二弯曲位置与第二字线结构的底部电连接，并且电极在止动位置与第一字线结构和第二字线结构相隔离。

主权项

1.一种存储器件，包括：衬底；位线，在衬底上沿第一方向延伸；第一字线结构，在位线上并且与位线间隔且绝缘，第一字线结构沿横穿第一方向的第二方向延伸；电极，与位线相连，在第一字线结构之上延伸，并且与第一字线结构间隔第一间隙；以及第二字线结构，在电极之上并且与电极间隔第二间隙，第二字线结构沿第二方向延伸，其中，电极在第一字线结构和第二字线结构之间是悬臂形式的，使得电极偏转以通过第一间隙在第一弯曲位置与第一字线结构的顶部电连接，以及偏转以通过第二间隙在第二弯曲位置与第二字线结构的底部电连接，并且电极在止动位置与第一字线结构和第二字线结构相隔离。