[发明专利]具有楔形电阻性尖端的半导体探针及其制造方法有效
| 申请号： | 200710092110.5 | 申请日： | 2007-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101159171A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 高亨守;丁柱焕;洪承范;朴弘植;朴哲民 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G12B21/02 | 分类号： | G12B21/02;G11B9/02;G11B9/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具有楔形电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。所述半导体探针包括：掺杂有第一杂质的电阻性尖端，具有掺杂有极性与所述第一杂质相反的低浓度的第二杂质的电阻区，并在所述电阻性尖端的两侧斜面上具有掺杂有高浓度的第二杂质的第一和第二半导体电极区；和悬臂，在其边缘上具有所述电阻性尖端，其中所述电阻性尖端的端部具有楔形。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 楔形 电阻 尖端 半导体 探针 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体探针，包括：掺杂有第一杂质的电阻性尖端，具有掺杂有极性与所述第一杂质相反的低浓度的第二杂质的电阻区，并在所述电阻性尖端的两侧斜面上具有掺杂有高浓度的第二杂质的第一和第二半导体电极区；和悬臂，在其边缘上具有所述电阻性尖端，其中所述电阻性尖端的端部具有楔形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710092110.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种内锥度检测仪
- 下一篇：货物外形柔性检测装置
