[发明专利]非易失性半导体存储器件

摘要

本发明目的在于提供一种在写性质和电荷保持特性方面优异的非易失性半导体存储器件。提供其中在一对杂质区之间形成沟道形成区的半导体衬底，并在半导体衬底上方提供第一绝缘层、浮栅电极、第二绝缘层和控栅电极。浮栅电极至少包括两层。优选与第一绝缘层接触的第一浮栅电极的能带隙比半导体衬底的小。还优选第二浮栅电极由金属材料、合金材料或金属化合物材料形成。这是因为，通过降低浮栅电极导带的底能级比半导体衬底中的沟道形成区的低，可以提高载流子注入特性和电荷保持特性。

主权项

1.一种非易失性半导体存储器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括一对杂质区和在所述杂质区之间的沟道形成区；在沟道形成区上方的浮栅电极，第一绝缘层介于它们之间，和浮栅电极上方的控栅电极，第二绝缘层介于它们之间，其中浮栅电极至少包括与第一绝缘层接触的第一层和第一层上方的第二层，其中第一层由半导体材料形成，其中第一层的能带隙比沟道形成区的能带隙小，以及其中第二层由选自由金属、金属合金和金属化合物组成的组的材料形成。