[发明专利]薄膜器件有效

专利信息
申请号: 200710092197.6 申请日: 2007-03-30
公开(公告)号: CN101047175A 公开(公告)日: 2007-10-03
发明(设计)人: 桑岛一;宫崎雅弘;古屋晃 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01L27/01 分类号: H01L27/01
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 浦柏明;刘宗杰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的薄膜器件具有器件主体和四个端子电极。器件主体具有四个侧面,各端子电极以与各侧面的一部分接触的方式配置。器件主体包括:用于构成第一无源元件的下部导体层和用于构成第二无源元件的上部导体层。在器件主体的侧面,下部导体层的端面和上部导体层的端面电连接并且物理连接。端子电极与下部导体层的端面以及上部导体层的端面接触,从而连接在下部导体层以及上部导体层。
搜索关键词: 薄膜 器件
【主权项】:
1.一种薄膜器件,具有:层叠体,包括配置在层叠方向不同的位置的多个导体层、和配置在层叠方向相邻的两个导体层之间的绝缘层,并且还具有侧面;端子电极,配置成与所述层叠体的侧面连接,其特征在于:所述层叠体分别具有使用一层以上的所述导体层而构成的第一以及第二无源元件,所述多个导体层包括:为了构成所述第一无源元件而使用的第一导体层;和为了构成所述第二无源元件而使用的、配置在层叠方向与所述第一导体层不同的位置上的第二导体层,在所述层叠体的侧面,所述第一导体层的端面和所述第二导体层的端面电连接并且物理连接,所述端子电极与所述第一导体层的端面以及所述第二导体层的端面接触,从而与所述第一以及第二导体层连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710092197.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top