[发明专利]薄膜器件有效
申请号: | 200710092197.6 | 申请日: | 2007-03-30 |
公开(公告)号: | CN101047175A | 公开(公告)日: | 2007-10-03 |
发明(设计)人: | 桑岛一;宫崎雅弘;古屋晃 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01L27/01 | 分类号: | H01L27/01 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 浦柏明;刘宗杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的薄膜器件具有器件主体和四个端子电极。器件主体具有四个侧面,各端子电极以与各侧面的一部分接触的方式配置。器件主体包括:用于构成第一无源元件的下部导体层和用于构成第二无源元件的上部导体层。在器件主体的侧面,下部导体层的端面和上部导体层的端面电连接并且物理连接。端子电极与下部导体层的端面以及上部导体层的端面接触,从而连接在下部导体层以及上部导体层。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 器件 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜器件,具有:层叠体,包括配置在层叠方向不同的位置的多个导体层、和配置在层叠方向相邻的两个导体层之间的绝缘层,并且还具有侧面;端子电极,配置成与所述层叠体的侧面连接,其特征在于:所述层叠体分别具有使用一层以上的所述导体层而构成的第一以及第二无源元件,所述多个导体层包括:为了构成所述第一无源元件而使用的第一导体层;和为了构成所述第二无源元件而使用的、配置在层叠方向与所述第一导体层不同的位置上的第二导体层,在所述层叠体的侧面,所述第一导体层的端面和所述第二导体层的端面电连接并且物理连接,所述端子电极与所述第一导体层的端面以及所述第二导体层的端面接触,从而与所述第一以及第二导体层连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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