[发明专利]蚀刻液组合物、研磨用组合物及其制造方法以及研磨方法无效
| 申请号： | 200710092278.6 | 申请日： | 2007-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101050348A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 前岛邦明;宫部慎介;泉昌宏;田中弘明 | 申请（专利权）人： | 日本化学工业股份有限公司;快递股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;C09K13/00;B24B29/00;B24B9/06;B24B7/22;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体晶片研磨用蚀刻液组合物和研磨用组合物的制造方法，该蚀刻液组合物是由在25℃时酸解离常数的倒数的对数值pKa为8.0－12.5的弱酸和季铵所组合成的缓冲溶液组成的水溶液，或由弱酸和季铵以及钾所组合成的缓冲溶液组成的水溶液，当稀释成100倍时在pH9.5－12间具有缓冲作用。本发明的组合物适用于半导体晶片的平面和边缘部分的研磨，能抑制半导体晶片表面所产生的磨粒残存，且在维持高研磨速度下获得良好的表面粗度。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 组合 研磨 及其 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1、一种半导体晶片研磨用蚀刻液组合物，其特征在于，该蚀刻液组合物是由在25℃时酸解离常数的倒数的对数值pKa为8.0-12.5的弱酸和季铵所组合成的缓冲溶液组成的水溶液，且当稀释成100倍时在pH9.5-12间具有缓冲作用。
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