[发明专利]半导体激光元件和半导体激光装置无效
| 申请号： | 200710092367.0 | 申请日： | 2007-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101030696A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 井上大二朗;别所靖之;畑雅幸 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/223 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体激光元件，包括：由沿规定方向延伸的凸部和设置在所述凸部的宽度方向外侧的平坦部构成，且在基板上形成的半导体层；在所述平坦部的上面和所述凸部的侧面上形成的绝缘层；以及由沿所述规定方向设置在所述凸部上的第一部分和包含自所述第一部分向所述凸部的宽度方向外侧突出的多个突出部的第二部分构成的电极，其中所述凸部是从所述电极注入电流的电流注入区域，所述多个突出部设置在所述绝缘层上，在所述多个突出部之间设置有露出所述绝缘层的间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光元件，其特征在于，包括：由沿规定方向延伸的凸部和设置在所述凸部的宽度方向外侧的平坦部构成，且在基板上形成的半导体层；在所述平坦部的上面和所述凸部的侧面上形成的绝缘层；以及由沿所述规定方向设置在所述凸部上的第一部分和包含自所述第一部分向所述凸部的宽度方向外侧突出的多个突出部的第二部分构成的电极，其中所述凸部是从所述电极注入电流的电流注入区域，所述多个突出部设置在所述绝缘层上，在所述多个突出部之间设置有露出所述绝缘层的间隙。
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