[发明专利]电介质陶瓷组合物及其制造方法无效
| 申请号： | 200710092385.9 | 申请日： | 2007-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN101026035A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 渡边康夫 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/30;C04B35/49 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种电介质陶瓷组合物，其包含含有电介质氧化物的主成分、和具有含Li氧化物的第一成分和含M1氧化物(其中，M1是从V族、VI族元素中选择的至少一种元素)的第二成分的烧结助剂，其中所述电介质陶瓷组合物具有多个电介质粒子，以及存在于相邻的所述电介质粒子之间的晶粒边界；多个所述电介质粒子从粒子表面向粒子内部M1元素的浓度降低，同时当设所述电介质粒子的粒径为D，所述晶粒边界处M1元素的含量为100％的情况下，在距离粒子表面的深度为所述粒径D的50％的深度T50处，M1元素的含量为3－55％。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 陶瓷 组合 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电介质陶瓷组合物，其包含含电介质氧化物的主成分、和包括含Li氧化物的第一成分和含M1氧化物(其中，M1是从V族、VI族元素中选择的至少一种元素)的第二成分的烧结助剂，其中：所述电介质陶瓷组合物具有多个电介质粒子，以及存在于相邻的所述电介质粒子之间的晶粒边界，多个所述电介质粒子从粒子表面向粒子内部，M1元素的浓度降低，同时设所述电介质粒子的粒径为D，所述晶粒边界处M1元素的含量为100％时，在距离粒子表面的深度为所述粒径D的50％的深度T50处，M1元素的含量为3-55％。
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