[发明专利]谐振型压力传感器芯片的局部真空封装方法无效
| 申请号： | 200710092642.9 | 申请日： | 2007-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101134557A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 张正元;刘玉奎;罗驰;胡明雨;冯志成;郑纯;刘建华 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400060重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种谐振型压力传感器芯片的局部真空封装方法。该方法在所要局部真空封装区域围成一个厚度为10－20μm、环宽为100－200μm的钛钨/金环，同时进行深槽腐蚀及释放可动部件，利用金属在共晶烧结中的回流来调整表面的不平整性，确保局部真空封装的实现，大大提高了局部真空封装的成品率，形成了一整套制备可动部件与环的工艺制造方法。该方法适用于微电子机械系统(MEMS)可动部件局部真空封装领域。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振 压力传感器 芯片 局部 真空 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种谐振型压力传感器芯片的局部真空封装方法，其特征在于，该方法步骤包括：(1)在待进行背面深槽腐蚀和正面释放可动部件的传感器硅片上，制备厚度为10-20μm、环宽为100-200μm的钛钨/金环和进行深槽腐蚀及释放可动部件；(2)在用于局部真空封装的上盖板硅片上，制备厚度为20μm、环宽为100-200μm、缺口深度为5μm的钛钨/金环；(3)将划片后、带有钛钨/金环的传感器芯片与上盖板芯片通过环对接，真空加热，共晶键合，形成一个密闭真空腔室，实现局部真空封装。
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