[发明专利]P型GaN上镉铟氧透明电极及其制备方法无效
| 申请号： | 200710092912.6 | 申请日： | 2007-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101162751A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 方亮;张淑芳;彭丽萍;董建新;刘高斌 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 重庆弘旭专利代理有限责任公司 | 代理人： | 侯懋琪 |
| 地址： | 400044重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型GaN上的镉铟氧(CIO)透明电极，它通过采用CIO透明导电薄膜结构，使透明电极的透光率比传统的金属(Ni或Ni/Au)电极提高15％以上，可望应用于GaN基蓝光发光二极管或激光二极管提高其出光效率，或应用于GaN基光电探测器上提高其响应度，具有极高的产业利用价值。本发明还公开了上述透明电极的制备方法，该方法解决了CIO透明导电薄膜在P型GaN上难于获得欧姆接触的问题。 | ||
| 搜索关键词： | gan 上镉铟氧 透明 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种P型GaN上镉铟氧透明电极，它包括：一P型GaN(1)，在P型GaN(1)上有第一导电层(2)，其特征在于：在第一导电层(2)之上有CIO透明导电薄膜(3)。
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