[发明专利]使用半色调曝光法的液晶显示装置的制造法有效
| 申请号： | 200710093751.2 | 申请日： | 2007-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101075584A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 田中荣;鲛岛俊之 | 申请（专利权）人： | 三国电子有限会社 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1337;G02F1/1335;G02F1/133;G03F7/20;G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京汇智英财专利代理事务所 | 代理人： | 张俊阁 |
| 地址： | 日本茨城县猿*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是以3次光微影制程制造超大型广视野角超高速响应液晶显示装置。本发明于使用半色调曝光技术与氮离子掺杂技术形成栅极电极、共用电极、像素电极及接触焊垫后，使用半色调曝光技术形成a－硅(Si)孤岛与接触孔。并使用普通曝光技术形成源极电极、漏极电极与配向控制电极。钝化层使用遮蔽沉积(masking deposition)法，而以P－CVD装置成膜，或使用喷墨涂布法，通过在局部区域涂布保护层，以3次光微影制程制造超大型广视野角超高速响应液晶显示用TFT阵列基板。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 色调 曝光 液晶 显示装置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种TN模式、MVA模式及IPS模式用主动矩阵基板的制造方法，是关于构成主动矩阵显示装置的主动矩阵基板的制造方法，其特征是使用下述4次光微影制程来制造：(1)使用半色调遮光罩的第一次半色调曝光法形成：栅极电极、像素电极、共用电极及像素电极内接触焊垫；(2)使用半色调遮光罩的第二次半色调曝光法形成：薄膜半导体层元件分离及接触孔；(3)使用普通遮光罩形成：源极电极、漏极电极及保持电容形成电极；及(4)使用普通遮光罩形成：栅极电极端子部、源极电极端子部及共用电极端子部的接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
