[发明专利]抗外界静电冲击的高分子保护元件有效
| 申请号： | 200710093840.7 | 申请日： | 2007-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101083163A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 权秀衍;福田昆之 | 申请（专利权）人： | 上海神沃电子有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/10 | 分类号： | H01C7/10;H01C7/12;H01C17/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201108上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗外界静电冲击的高分子保护元件及其制备方法，所述的抗外界静电冲击的高分子保护元件包括引出电极、基板，其特征在于，基板为多层结构，所述的基板包括密封在基板内部的高分子压敏材料。与现有技术相比，本发明中的抗外界静电冲击的高分子保护元件没有极性，安装简单，最主要的是结电容小，非常适合高频线路中应用。 | ||
| 搜索关键词： | 外界 静电 冲击 高分子 保护 元件 | ||
【主权项】：
1.一种抗外界静电冲击的高分子保护元件，包括引出电极、基板，其特征在于，基板为多层结构，所述的基板包括密封在基板内部的高分子压敏材料。
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