[发明专利]寄生NPN晶体管制造方法及结构有效

申请号：	200710093954.1	申请日：	2007-07-17
公开（公告）号：	CN101350304A	公开（公告）日：	2009-01-21
发明（设计）人：	王乐;雷明	申请（专利权）人：	上海华虹NEC电子有限公司
主分类号：	H01L21/331	分类号：	H01L21/331;H01L21/265;H01L29/73
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人：	周赤
地址：	201206上***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明公开了一种寄生NPN晶体管制造方法及结构，通过在NPN晶体管的基区窗口内，采用轻掺杂工艺离子注入N型杂质，改变了NPN晶体管的结构，从而相当于在其中产生一个纵向PNP晶体管，从而实现可在不影响BCD/BICOM器件中其他器件性能的情况下，提高寄生NPN晶体管的放大增益。在本发明中，所述离子注入N型杂质包括两次离子注入过程：一次为采用轻掺杂工艺离子注入P型杂质；还有一次为采用大角度工艺离子注入N型杂质。
搜索关键词：	寄生 npn 晶体管制造方法结构
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【主权项】：

1、一种寄生NPN晶体管制造方法，包括：(1)在衬底(201)进行埋层注入和扩散，形成N型埋入扩散层(203)和P型埋入扩散层(204)；(2)去除步骤(1)中产生的埋层氧化层，然后在所述衬底(201)上生长外延层(202)；(3)进行高压N阱(206)及高压P阱(205)离子注入和推进；(4)在所述外延层(202)上形成LOCOS氧化膜(207)；(5)在集电区窗口内，进行低压N阱(208)注入；(7)进行MOS源/漏注入；其特征在于：在所述步骤(5)和(7)之间还包括步骤：(6)在基区窗口内，采用轻掺杂工艺在所述高压P阱(205)上离子注入N型杂质，形成N型扩散层(209)。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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