[发明专利]平滑规则式光学临近修正光掩膜图形的方法有效
申请号: | 200710093961.1 | 申请日: | 2007-07-19 |
公开(公告)号: | CN101349861A | 公开(公告)日: | 2009-01-21 |
发明(设计)人: | 魏芳;张斌 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种平滑规则式光学临近修正光掩膜图形的方法,该方法通过在进行常规规则式光学临近修正光掩膜图形后,增加一个步骤:在密集图形区和孤立图形区连接处台阶所在的修正片断为基准片断,将与其相邻的至少两个连续的修正片断的修正量调整为介于其前一个修正片断的修正量和其后一个修正片断的修正量之间的值,以减少相邻两个修正片断间修正量的差异。通过本发明的方法,可以得到一平滑的曝光图形,并不需要增加很多计算机运行时间,可广泛适用于规则式光学临近修正操作中。 | ||
搜索关键词: | 平滑 规则 光学 临近 修正 光掩膜 图形 方法 | ||
【主权项】:
1、一种平滑规则式光学临近修正光掩膜图形的方法,包括在采用规则式光学临近修正方法修正光掩膜图形,得到初步修正的光掩膜图形,该光掩膜图形中的密集图形区和孤立图形区连接处有突变的台阶,其特征在于,该方法还包括以下步骤:以所述密集图形区和所述孤立图形区连接处台阶所在的修正片断为基准片断,将与所述基准片断相邻的至少两个连续的修正片断的修正量调整为介于其前一个修正片断的修正量和其后一个修正片断的修正量之间的值,以减少相邻两个修正片断间修正量的差异。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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