[发明专利]基于负性光刻胶的栅极注入掩膜层的制备方法有效
| 申请号： | 200710094077.X | 申请日： | 2007-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101383280A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 陈福成;朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于负性光刻胶的栅极注入掩膜层的制备方法，该制备方法包括：先是涂覆负性光刻胶；后用栅极光刻掩膜版进行光刻显影；最后利用步骤(2)中显影后留下的负性光刻胶作注入掩膜层，进行栅极注入。本发明可用在栅极刻蚀之后，也可用在栅极侧墙完成之后。本发明的制备方法所制备的栅极注入的掩膜层，可以大大提高注入的电压和能量，使得栅极的分压更小，同时避免了传统工艺中对于源漏两极的影响。此外，本发明的方法仅比原有工艺增加一次光刻但不需增加光刻掩膜版的数量，有利于成本控制，可广泛应用于半导体器件制造过程中。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 光刻 栅极 注入 掩膜层 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种基于负性负性光刻胶的栅极注入掩膜层的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：(1)在硅片上涂覆负性光刻胶；(2)用栅极光刻掩膜版进行光刻显影；(3)利用步骤(2)中显影后留下的负性光刻胶图案作注入掩膜层，进行栅极注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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