[发明专利]硅片周边缺口检查方法及装置无效
| 申请号： | 200710094106.2 | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101398395A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 张擎雪;潘嘉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/956 | 分类号： | G01N21/956;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片周边缺口检查方法，在待检测的硅片正面上方设置正面激光源、正面传感器，背面下方设置背面激光源、背面传感器，硅片两边的激光源照射硅片的周边位置，传感器位于同一面激光源照射硅片表面的反射光线路径上且两面的激光源不能直线照射到对面的传感器；硅片旋转一周，周边均经过所述激光源照射，传感器采集的光信号传送到信号处理系统，信号处理系统根据正面传感器、背面传感器采集到的激光信号的强度、个数判断硅片周边存在的缺口；本发明还公开了一种硅片周边缺口检查装置。本发明能快速、准确地检查硅片周边缺口。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 周边 缺口 检查 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种硅片周边缺口检查方法，其特征在于，在待检测的硅片正面上方设置正面激光源、正面传感器，背面下方设置背面激光源、背面传感器，硅片两边的激光源照射硅片的周边位置，正面传感器位于正面激光源照射硅片表面的反射光线路径之上，背面传感器位于背面激光源照射硅片表面的反射光线路径之上；两面的激光源不能直线照射到对面的传感器；硅片旋转一周，周边均经过所述激光源照射，传感器能接收到完整的硅片周边反射的同一面的激光源的较强光信号，遇到有硅片周边有缺口的地方，位于同一面的传感器接收的光信号明显减弱；传感器采集的光信号传送到信号处理系统，信号处理系统根据正面传感器、背面传感器采集到的反射激光信号明显减弱次数及位置判断硅片周边存在的缺口，两个传感器只同时采集到一次反射激光信号明显减弱，表明硅片周边只存在一硅片对准穿透缺口，任何一个传感器采集到超过一次反射激光信号明显减弱，表示硅片周边存在异常缺口。
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