[发明专利]磷硅玻璃的制备方法无效
| 申请号： | 200710094184.2 | 申请日： | 2007-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101417856A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 秦文芳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | C03B8/04 | 分类号： | C03B8/04 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磷硅玻璃的制备方法，其用硅烷作为反应气体，采用高密度等离子体淀积工艺进行制备，在淀积过程中采用了多步不同淀积溅射比的工艺条件进行连续淀积。在第一步淀积时，用淀积溅射比在5.7～6.7之间的工艺条件进行淀积；之后淀积步骤中采用淀积溅射比小于5.5的工艺条件进行淀积。本发明的制备方法，能明显减低磷硅玻璃层中花样图案的横向宽度和纵向高度，适用于半导体器件制造中。 | ||
| 搜索关键词： | 玻璃 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磷硅玻璃的制备方法，用硅烷作为反应气体，采用高密度等离子体淀积工艺进行制备，其特征在于：在淀积过程中采用了多步不同淀积溅射比的工艺条件进行连续淀积，其中第一步淀积用淀积溅射比较大的工艺条件，后续的淀积步骤中采用淀积溅射比较小的工艺条件，且相邻两个淀积步骤中所用的淀积溅射比的差值在1～2.5数值范围内。
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