[发明专利]芯片标记的制备方法无效
| 申请号： | 200710094185.7 | 申请日： | 2007-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101425475A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 景旭斌;张雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/71 | 分类号： | H01L21/71 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片标记的制备方法，其将芯片标记的制备集成在通用的芯片制备流程中，首先在次上层金属刻蚀步骤中，在预定区域保留所述次上层金属；其次在最上层金属层间介质刻蚀步骤中，将所述次上层金属上的所述最上层金属层间介质刻蚀掉形成通孔；再次，用钨填充通孔；在芯片制备的钝化层淀积步骤中，在所述预定区域上，用钝化层覆盖所述钨。本发明的方法利用钨作为标记材料，将标记的制备集成通用的钨通孔工艺中，简化了制备流程，可广泛用于半导体芯片的标记制备。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 标记 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种芯片标记的制备方法，用于在芯片的预定区域上制备标记，其将芯片标记的制备集成在通用的芯片制备流程中，其特征在于：在芯片制备中的次上层金属淀积后，首先在次上层金属刻蚀步骤中，在预定区域保留所述次上层金属；其次在最上层金属层间介质刻蚀步骤中，将所述次上层金属上的所述最上层金属层间介质刻蚀掉形成通孔；再次，用钨填充通孔；在芯片制备的钝化层淀积步骤中，在所述预定区域上，用钝化层覆盖所述钨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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