[发明专利]浅沟槽隔离的制备方法无效
| 申请号： | 200710094224.3 | 申请日： | 2007-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101436565A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;熊涛;陈瑜;陈雄斌;罗啸 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浅沟槽隔离的制备方法，用于0.15um及以下尺寸半导体器件制备中，其在传统浅沟槽隔离制备工艺流程的热生长垫层氧化层前，增加一步利用非晶化离子大倾角注入使浅沟槽顶角的硅原子充分非晶化的步骤。本发明的制备方法非晶硅的氧化速率比晶体硅的氧化速率快的这一特性，在硅非晶化后热氧化，形成一个圆滑的沟槽顶角硅界面的形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种浅沟槽隔离的制备方法，用于0.15um及以下尺寸半导体器件制备中，其特征在于，该方法包括如下步骤：(1)硅衬底上淀积衬垫氧化层和硬掩膜层；(2)光刻胶涂布和光刻定义浅沟槽区域；(3)硬掩膜层刻蚀及去除光刻胶；(4)干法刻蚀，在衬底上形成浅沟槽；(5)湿法腐蚀浅沟槽顶角处的衬垫氧化层；(6)离子注入浅沟槽顶角的硅衬底中，使其中的硅原子非晶化；(7)在浅沟槽内热生长垫层氧化层；(8)用HDPCVD工艺淀积氧化硅填充浅沟槽；(9)CMP研磨，硬掩膜层和衬垫氧化层去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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