[发明专利]浅沟槽隔离的制备方法无效
| 申请号： | 200710094225.8 | 申请日： | 2007-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101436566A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;熊涛;陈瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浅沟槽隔离的制备方法，用于0.15um及以下尺寸半导体器件制备中，其将硬掩膜层，衬垫氧化层和部分硅衬底的刻蚀集成在一步完成，形成浅沟槽，且在刻蚀过程中，衬底上的光刻胶被全部去除。本发明的制备方法利用刻蚀光刻胶时产生的聚合物在刻蚀前期保护沟槽侧壁，使刻蚀往深度方向进行，而在将光刻胶刻蚀完后，刻蚀作用在沟槽侧壁加强，最终形成一个圆滑的沟槽顶端边角形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种浅沟槽隔离的制备方法，用于0.15um及以下尺寸半导体器件制备中，其特征在于，该方法包括如下步骤：(1)衬底上淀积衬垫氧化层和硬掩膜层；(2)光刻胶涂布和光刻定义浅沟槽区域；(3)刻蚀曝光露出的硬掩膜层，衬垫氧化层和部分硅衬底，形成浅沟槽，且在刻蚀过程中，衬底上的光刻胶被全部去除；(4)湿法腐蚀浅沟槽顶端边角的衬垫氧化层；(5)在浅沟槽内侧热生长垫层氧化层；(6)用HDPCVD工淀积氧化硅填充浅沟槽；(7)CMP研磨及硬掩膜层去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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