[发明专利]降低光刻机镜头畸变引起的光刻对准偏差的方法有效

专利信息
申请号: 200710094237.0 申请日: 2007-11-15
公开(公告)号: CN101435998A 公开(公告)日: 2009-05-20
发明(设计)人: 王雷;黄玮 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/66
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人: 周 赤
地址: 201206上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种降低光刻机镜头畸变引起的光刻对准偏差的方法,通过在同一曝光单元四周产生对称的光刻套刻图形,可测量出曝光单元上下左右各位置由于镜头畸变而产生的位置变化;然后,根据光刻机镜头畸变调整精度要求,选择合适的光刻套刻模型计算出镜头畸变量,并在每次曝光时通过光刻对准参数的补正来修正畸变量;从而实现了降低光刻机镜头畸变所引起的光刻对准偏差,提高光刻对准精度的目的;同时,该方法使得不同产品在不同光刻机上找到了一个简单的匹配标准,从而使得不同镜头表现的光刻机最终产出的产品能够保持统一性,从而大大提高了生产力;并且,这种方法易于实现,成本较低。
搜索关键词: 降低 光刻 镜头 畸变 引起 对准 偏差 方法
【主权项】:
1、一种降低光刻机镜头畸变引起的光刻对准偏差的方法,其特征在于,包括以下步骤:在设计版图时,在曝光单元(21)的上下左右四周共放置至少四组测量图形,其中每组测量图形包括一外框(22)和一内框(23),所述外框(22)和内框(23)分别对称放置在所述曝光单元(21)的上下或者左右的两边;通过分步重复光刻机对光刻曝光单元进行重复曝光,在一曝光单元四周上、下、左、右四个边界的每边均至少形成一个光刻套刻测量图形;通过所述光刻套刻测量图形,测量出所述曝光单元上下左右各位置分别在X、Y方向上的偏移量;根据光刻机镜头畸变调整精度要求,选择光刻套刻模型,然后基于所述各个偏移量,计算出多个用于表示光刻机镜头畸变量的光刻对准参数的大小;在每次曝光时,通过对所述光刻对准参数进行补正的方式,修正所述光刻机镜头的畸变量。
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