[发明专利]二氧化硅的制备方法无效
| 申请号： | 200710094243.6 | 申请日： | 2007-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101442019A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;陈瑜;熊涛;罗啸;陈雄斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种二氧化硅的制备方法，包括如下步骤：在硅上淀积氮化硅，用光刻胶光刻定义出多个等距的沟槽，并刻蚀掉光刻曝出的氮化硅，而后去除光刻胶；以氮化硅为硬掩膜层，在硅片表面刻蚀出所需二氧化硅厚度的多个沟槽；去除氮化硅层；进行热氧化生长，使沟槽间的硅都氧化形成较厚的二氧化硅层；平整化硅表面。本发明的制备方法实现了致密的厚二氧化硅层的生长，可广泛用于集成电路和无源射频器件的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种二氧化硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅上淀积氮化硅，用光刻胶光刻定义出多个等距的沟槽，并刻蚀掉光刻曝出的氮化硅，而后去除光刻胶；(2)以步骤(1)中的氮化硅为硬掩膜层，在硅片表面刻蚀出所需二氧化硅厚度的多个沟槽；(3)去除氮化硅层；(4)进行热氧化生长，使沟槽间的硅都氧化形成较厚的二氧化硅层；(5)平整化步骤(4)后的硅表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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