[发明专利]硅片蚀刻条件优化方法

摘要

本发明公开了一种硅片蚀刻条件优化方法，其中在硅片切断面上观察蚀刻条件纵向形貌包括以下步骤：在硅片上涂胶；选定任意区域进行曝光；对曝光的区域进行蚀刻；去掉整个硅片上的光刻胶；在同一个硅片上涂胶；在上述硅片上没有被曝光过的区域选择任意区域进行曝光；上一步中曝光的区域进行蚀刻；去掉整个硅片上的光刻胶；重复在整个硅片上涂胶，在没有被曝光的区域选择任意的区域进行曝光，并在该曝光区域以需要观察的蚀刻条件进行蚀刻，去掉整个硅片上的光刻胶，直至完成需要观察的蚀刻条件；对硅片进行切片，在硅片的不同区域观察不同蚀刻条件的纵向形貌。本发明可以大量节约硅片预算，降低成本。

主权项

1. 一种硅片蚀刻条件优化方法，包括在硅片切断面上观察蚀刻条件纵向形貌的步骤，其特征在于，在硅片切断面上观察蚀刻条件纵向形貌包括以下步骤：第一步，在整个硅片上涂胶；第二步，在上述硅片上选定任意区域进行曝光；第三步，针对第二步中曝光的区域以需要观察的蚀刻条件1进行蚀刻；第四步，去掉整个硅片上的光刻胶；第五步，在同一个硅片上涂胶；第六步，在上述硅片上没有被曝光过的区域选择任意区域进行曝光；第七步，针对第六步中曝光的区域以需要观察的蚀刻条件2进行蚀刻；第八步，去掉整个硅片上的光刻胶；第九步，重复第五步至第八步，在整个硅片上涂胶，在没有被曝光的区域选择任意的区域进行曝光，并在该曝光区域以需要观察的蚀刻条件进行蚀刻，去掉整个硅片上的光刻胶，直至完成需要观察的蚀刻条件；第十步，对硅片进行切片，在硅片的不同区域观察不同蚀刻条件的纵向形貌。