[发明专利]动态侦测静电保护电路有效

专利信息
申请号: 200710094272.2 申请日: 2007-11-23
公开(公告)号: CN101442869A 公开(公告)日: 2009-05-27
发明(设计)人: 田光春 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: H05F3/04 分类号: H05F3/04;H01L23/60;H02H9/00
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人: 丁纪铁
地址: 201206上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种动态侦测静电保护电路,包括并接在静电端和接地端之间的动态侦测电路、中间隔离电路、静电泄放电路;中间隔离电路用于隔离动态侦测电路和静电泄放电路,并进行分压和驱动;中间隔离电路的输入端与动态侦测电路电连接,其输出端与静电泄放电路的输入端电连接;所述中间隔离电路由一PMOS管与一电阻串接组成,或者由一NMOS管与一电阻串接组成。本发明能够进一步减小寄生栅极电容对动态侦测电路中电容值的选取的影响,改善动态侦测静电泄放电路结构的静电泄放性能。
搜索关键词: 动态 侦测 静电 保护 电路
【主权项】:
1、一种动态侦测静电保护电路,包括并接在静电端和接地端之间的动态侦测电路、中间隔离电路、静电泄放电路;中间隔离电路用于隔离动态侦测电路和静电泄放电路,并进行分压和驱动;中间隔离电路的输入端与动态侦测电路电连接,其输出端与静电泄放电路的输入端电连接;所述动态侦测电路由电阻和电容串接组成;其特征在于:所述静电泄放电路由NMOS管构成,所述中间隔离电路由一PMOS管与一电阻串接组成;或者,所述静电泄放电路由PMOS管构成,所述中间隔离电路由一NMOS管与一电阻串接组成。
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