[发明专利]低触发电压晶闸管静电保护结构有效
| 申请号： | 200710094273.7 | 申请日： | 2007-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101442047A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 田光春 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低触发电压晶闸管静电保护结构，包括：一NMOS管，形成在PW中，该NMOS管寄生的由N+/PW/N+形成的NPN管与由寄生的N+/PW/NW形成的NPN管具有相同的发射极端和基极端；一SCR结构，由P+/NW/PW形成的寄生PNP管和由N+/PW/NW形成的寄生NPN管组成；所述NMOS管的漏极通过NW电阻Rnw1与静电端电连接，所述SCR结构的触发由该NMOS管和NW电阻Rnw1控制。本发明既能有效地降低SCR静电保护时的触发电压，又可以根据需要调整触发电压，大大方便静电保护设计，还可以根据需要调整本发明SCR结构的电流增益，从而提高其静电保护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 触发 电压 晶闸管 静电 保护 结构 | ||
【主权项】：
1、一种低触发电压晶闸管静电保护结构，包括：一NMOS管，形成在PW中，该NMOS管寄生的由N+/PW/N+形成的NPN管与由寄生的N+/PW/NW形成的NPN管具有相同的发射极端和基极端；一SCR结构，由P+/NW/PW形成的寄生PNP管和由寄生的N+/PW/NW形成的NPN管组成，当由N+/PW/N+形成的NPN管触发导通时，由寄生的N+/PW/NW形成的NPN管也导通；进而触发所述的SCR结构；其特征在于：所述NMOS管的漏极通过NW电阻Rnw1与静电端电连接，所述SCR结构的触发由该NMOS管和NW电阻Rnw1控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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