[发明专利]光刻显影的方法无效
| 申请号： | 200710094285.X | 申请日： | 2007-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101446765A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;罗啸;陈雄斌;熊涛;陈瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/40;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光刻显影的方法，包括在曝光和硬烘，曝光后光刻胶图形的特征尺寸比目标值小；而硬烘时的提高硬烤温度，使得硬烘后的光刻胶图形间隙的特征尺寸控制在目标值范围内。本发明的方法有效避免显影时的光刻胶残留在光刻胶图形间隙中形成光刻胶残留互连，而在硬烘时提高硬烤温度，光刻胶软化使得硬烘后的光刻胶图形的特征尺寸变大而将光刻胶图形间隙的特征尺寸控制在目标值范围内。本发明可广泛用于半导体制造中。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 显影 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光刻显影的方法，包括在曝光和硬烘，其特征在于：所述曝光后光刻胶图形的特征尺寸比目标值小；所述硬烘时，将硬烤温度提高至使得硬烘后的光刻胶图形间隙的特征尺寸在目标值范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710094285.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
