[发明专利]双扩散场效应晶体管制造方法无效
| 申请号： | 200710094291.5 | 申请日： | 2007-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101447432A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;刘俊文 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双扩散场效应晶体管制造方法，通过增加晶体管栅极和漂移区重叠的面积，使晶体管的饱和电流得到大大的增加；而且利用延伸出来的栅极电位来改变漂移区表面电场的分布，达到提高击穿电压的目的；同时利用重叠区域栅极下面的厚二氧化硅来抑制因重叠区域引起的GIDL效应，降低器件的漏电流；而且，本发明所述方法还可使器件高压击穿的位置从横向结区域变为纵向结区域，也就是使得在高压下器件发生击穿的位置发生在最强的结的位置，从而提高了双扩散场效应晶体管的耐压特性。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种双扩散场效应晶体管制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在所述硅衬底阱区的位置进行选择性离子注入，形成漂移区；(2)在所述硅衬底顶部生长一层二氧化硅层；(3)对所述二氧化硅层进行刻蚀，形成栅氧区域；(4)在所述栅氧区域内进行生长一层栅氧化层；(5)在所述二氧化硅层和栅氧化层上再沉积一层栅极多晶硅，形成栅极；(6)在硅衬底上进行选择性源漏离子注入，形成源漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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