[发明专利]双扩散场效应晶体管制造方法无效
| 申请号： | 200710094294.9 | 申请日： | 2007-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101447434A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;刘俊文 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双扩散场效应晶体管制造方法，通过在漂移区离子注入之后，增加一次高温热离子扩散的热过程，从而使得晶体管的漂移区在沟道方向上(横向方向上)和垂直沟道方向上(纵向方向上)能够形成一定的掺杂浓度的梯度，并使整个器件漂移区的横向和纵向方向的结同时都能够耐较高电压，而且拥有近似相等的击穿电压，从而使得器件不会因为局部结的击穿电压较低造成整个器件在较小的电压下就发生击穿，同时也可以在保证满足一定的击穿电压下，可以通过提高漂移区的掺杂浓度来提高晶体管的饱和电流。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种双扩散场效应晶体管制造方法，包括：进行选择性离子注入形成第一漂移区的工序；形成栅极的工序；形成源极和漏极的工序；其特征在于，还包括：对硅片进行高温离子扩散的热过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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