[发明专利]氮化硅膜湿法腐蚀工艺方法有效
| 申请号： | 200710094355.1 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101452845A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 王明琪;赵桓;赵晓亮;潘嘉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化硅膜湿法腐蚀工艺方法，包括如下步骤：第一步，使用单个磷酸槽对氮化硅膜进行完全刻蚀；第二步，使用高温水洗槽进行清洗；第三步，使用单个磷酸槽进行过刻蚀；第四步，使用高温水洗槽进行清洗。采用本发明方法既能解决设备处理产出效率低的问题，又可以解决氧化硅颗粒析出的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 湿法 腐蚀 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氮化硅膜湿法腐蚀工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，使用单个磷酸槽对氮化硅膜进行完全刻蚀；第二步，使用高温水洗槽进行清洗；第三步，使用单个磷酸槽进行过刻蚀；第四步，使用高温水洗槽进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
