[发明专利]CMP工艺条件调整控制方法有效
| 申请号： | 200710094357.0 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101450449A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 刘艳平;张震宇;金新 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B37/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种CMP工艺条件调整控制方法，收集整理制品前膜、残膜膜厚均一性与工艺条件之间的关系，建立根据前膜厚度范围调整工艺条件的表格；每个制品在CMP工艺进行前一步，进行前膜膜厚测量，获得前膜厚度范围；在CMP工艺进行的过程中，CMP设备根据前膜厚度范围大小，依据建立的根据前膜厚度范围调整工艺条件的表格选定相应的CMP工艺条件进行研磨。采用该方法能实现对CMP研磨后膜厚均一性的有效控制。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 工艺 条件 调整 控制 方法 | ||
【主权项】：
1、一种CMP工艺条件调整控制方法，其特征在于，包括以下步骤：(1). 收集整理制品前膜、残膜膜厚均一性与工艺条件之间的关系，建立根据前膜厚度范围调整工艺条件的表格；(2). 每个制品在CMP工艺进行前一步，进行前膜膜厚测量，获得前膜厚度范围；(3). 在CMP工艺进行的过程中，CMP设备根据前膜厚度范围大小，依据建立的根据前膜厚度范围调整工艺条件的表格选定相应的CMP工艺条件进行研磨。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710094357.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光盘装置
- 下一篇：片状导光体、操作面板照明装置以及电子设备
