[发明专利]高压晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200710094359.X | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101452955A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压晶体管，沟道层上部有栅绝缘层，该栅绝缘层为两种厚度，沟道上部中间的栅绝缘层较薄，沟道上部两侧的栅绝缘层较厚。本发明还公开了一种所述高压晶体管的制造方法，栅绝缘层的形成包括以下步骤：在全部的高压晶体管区域生长第一层栅氧化层；利用光刻定义出高压晶体管沟道上的薄栅氧化层区域；刻除薄栅氧化层区域的第一层栅氧化层；去除光刻胶后，在全部高压晶体管区域生长薄栅氧化层，形成具有双重厚度的栅氧化层的高压晶体管。本发明在保持晶体管阈值电压、击穿电压和截止电流基本不变的情况下，增大了晶体管的驱动电流，提高了晶体管的驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高压晶体管，沟道层上部有栅绝缘层，其特征在于，该栅绝缘层为两种厚度，沟道上部中间的栅绝缘层较薄，沟道上部两侧的栅绝缘层较厚。
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