[发明专利]齐纳二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 200710094379.7 | 申请日： | 2007-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101452966A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;吕赵鸿 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种齐纳二极管及其制造方法，实现了将横向齐纳二极管和纵向齐纳二极管结合起来的齐纳二极管结构，从而大大提高了齐纳二极管的击穿电压，并有效改善了齐纳二极管的耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 齐纳二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种齐纳二极管，包括：衬底(301)，在所述衬底(301)上形成有P型阱区(302)，其特征在于，在所述P型阱区(302)上形成有P型重掺杂区(303)和N型轻掺杂区(304)，且所述P型重掺杂区(303)和N型轻掺杂区(304)相邻呈横向背靠背的P+/N-结构；在所述N型轻掺杂区(304)以及邻近该N型轻掺杂区(304)的所述P型重掺杂区(303)的部分还形成有一N型重掺杂区(305)。
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