[发明专利]通孔的制备方法无效
| 申请号： | 200710094386.7 | 申请日： | 2007-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101452877A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 谭颖 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通孔的制备方法，其包括：金属层淀积，后刻蚀该金属层形成局部连线；淀积氮化硅，接着淀积层间介质层；光刻定义出通孔的图形；采用介质层相对于氮化硅的刻蚀选择比高的刻蚀条件刻蚀介质层，使刻蚀停止在氮化硅上；采用氮化硅相对于金属层的刻蚀选择比在1.5～4之间的刻蚀条件刻蚀氮化硅，使刻蚀停止在金属层上。本发明的方法解决了0.13um技术下，应用较薄的金属层作为局部连线时，通孔刻蚀所遇到的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种通孔的制备方法，其特征在于，包括：(1)金属层淀积，后刻蚀该金属层形成局部连线；(2)淀积阻挡层，接着淀积层间介质层；(3)光刻定义出通孔的图形；(4)采用层间介质层材料相对于阻挡层材料的刻蚀速率选择比大的刻蚀条件，干法刻蚀层间介质层，使刻蚀停止在阻挡层上；(5)采用阻挡层材料相对于金属层的刻蚀速率选择比在1.5～4范围内的刻蚀条件，干法刻蚀阻挡层，使刻蚀停止在金属层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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