[发明专利]双比特电荷囚禁器件的制作工艺方法

摘要

本发明公开了一种双比特电荷囚禁器件的制作工艺方法，在半导体衬底上端部形成源极和漏极，在所述源极和漏极之间半导体衬底的上端面依次成长隔离氧化层和多晶硅，通过光刻和刻蚀形成栅极；用湿法刻蚀隔离氧化层，形成位于栅极和半导体衬底之间的底切凹槽；成长氧化硅膜，该氧化硅膜覆盖所述源极、漏极的上端面，包覆所述的底切凹槽及栅极，刻蚀所述底切凹槽内的氧化硅层，形成该氧化硅层之间的凹槽；在所述氧化硅膜上成长氮化硅膜，并在所述凹槽内全部成长为氮化硅层；刻蚀所述氮化硅膜，最终在单多晶硅门下面形成双比特SONOS结构。本发明能够有效避免在两个比特之间产生的干扰。

主权项

1、一种双比特电荷囚禁器件的制作工艺方法，在半导体P型衬底的两侧上端部形成源极和漏极，在所述源极和漏极之间半导体衬底的上端面依次成长隔离氧化层和多晶硅，通过光刻和刻蚀该隔离氧化层和多晶硅形成栅极；其特征在于：利用湿法刻蚀去除位于栅极和半导体衬底之间的隔离氧化层，形成从该隔离氧化层的两侧向内延伸，位于栅极和半导体衬底之间的底切凹槽；成长氧化硅膜，该氧化硅膜覆盖所述源极、漏极的上端面，包覆所述的底切凹槽及栅极，并且该底切凹槽内全部成长为氧化硅层；刻蚀所述底切凹槽内的氧化硅层，形成从该氧化硅层的两侧向内延伸并位于该氧化硅层之间的凹槽；在所述氧化硅膜上成长氮化硅膜，并在所述凹槽内全部成长为氮化硅层；刻蚀所述氮化硅膜，去除位于栅极顶部氧化膜上的氮化硅膜，并去除所述源极、漏极处氧化膜上的氮化硅膜，最终在单多晶硅门下面形成双比特SONOS结构。