[发明专利]接触孔的两次图形曝光方法有效
| 申请号： | 200710094391.8 | 申请日： | 2007-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101452213A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 陈福成;朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种接触孔的两次图形曝光方法，步骤为：1，光刻；2，刻蚀；3，剥离剩余的光刻胶；4，采用湿法可显影填充材料涂覆硅片表面，填充第一次刻蚀后的间隙；5，显影涂覆了湿法可显影填充材料后的硅片，并实现硅片的表面平整表现；6，则继续显影，直至填充材料被全部去除；7：涂覆光刻胶，第二次光刻；8，第二次刻蚀；9，剥离光刻胶、湿法可显影填充材料，并清洗。本发明采用湿法可显影的填充材料填充第一次刻蚀的间隙，提高了第二次图形曝光的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 两次 图形 曝光 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种接触孔的两次图形曝光方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在待刻蚀衬底上方涂覆光刻胶并进行第一次光刻；第二步，利用光刻胶作为刻蚀掩蔽层，进行第一次刻蚀，刻蚀多晶硅栅极的接触孔；第三步，剥离剩余的光刻胶；第四步，采用湿法可显影填充材料涂覆硅片表面，填充第一次刻蚀后的间隙；第五步，用显影液显影涂覆了湿法可显影填充材料后的硅片，并移除待刻蚀衬底表面的填充材料，实现硅片的表面平整表现；第六步，检测显影表现，如发现前层介质膜上仍然存在第四步中的填充材料，则继续用显影液显影，直至填充材料被全部去除；第七步：涂覆光刻胶，并进行第二次光刻；第八步，利用光刻胶作为刻蚀掩蔽层，进行第二次刻蚀，刻蚀源漏区域的接触孔；第九步，剥离剩余的光刻胶、湿法可显影填充材料，并清洗。
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